ΠšΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ β€” Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΠΎ распространСнности элСмСнт Π² Π·Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΡ€Π΅, Π½ΠΎ Π² чистом Π²ΠΈΠ΄Π΅ Π² ΠΏΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄Π΅ Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ сущСствуСт. Π’Ρ‹ Π½ΠΈΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π΅ Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚Π΅ самородного крСмния, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ высокой химичСской Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ всСгда соСдинСн с кислородом, образуя диоксид крСмния ΠΈΠ»ΠΈ силикаты. ИмСнно поэтому процСсс получСния этого ваТнСйшСго ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° для соврСмСнной ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΡƒΡ€Π³ΠΈΠΈ ΠΈ элСктроники начинаСтся Π½Π΅ с поиска мСстороТдСний, Π° с ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±Π½ΠΎΠΉ Π³ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π΄Π΅ΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ.

Π’Π°ΠΌ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Β«Π΄ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π° крСмния» β€” это условноС Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ слоТного тСхнологичСского процСсса, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ нСсколько этапов: ΠΎΡ‚ вскрытия Π½Π΅Π΄Ρ€ Π΄ΠΎ свСрхчистого рафинирования. Основная ΡΡ‹Ρ€ΡŒΠ΅Π²Π°Ρ Π±Π°Π·Π° β€” это высококачСствСнный ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π΅Π²Ρ‹ΠΉ пСсок, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ добываСтся Π² спСциализированных ΠΊΠ°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π°Ρ…. ΠšΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎ исходной ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ΄Ρ‹ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ влияСт Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π° ΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ, поэтому ΠΊ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Ρƒ мСстороТдСний подходят с особым пристрастиСм.

Π‘Π΅Π· понимания Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΎ-химичСских свойств ΡΡ‹Ρ€ΡŒΡ Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ сСбС соврСмСнный ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ. ΠšΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ Π² основС солнСчной энСргСтики ΠΈ микроэлСктроники, поэтому чистота ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π° критичСски Π²Π°ΠΆΠ½Π°. Π”Π°ΠΆΠ΅ Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ примСси ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ элСктричСскиС свойства ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, сдСлав Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ΠΏΡ€ΠΈΠ³ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ для производства ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… пластин.

ГСография ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ мСстороТдСний ΡΡ‹Ρ€ΡŒΠ΅Π²Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ²

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ ΡΡ‹Ρ€ΡŒΠ΅ΠΌ для производства крСмния слуТит ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†ΠΈΡ‚ ΠΈ крСмнСзСмистый пСсок. Π”ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π° вСдСтся ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ способом Π² ΠΊΠ°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π°Ρ…, Π³Π΄Π΅ Π·Π°Π»Π΅ΠΆΠΈ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ΄ находятся Π½Π° нСбольшой Π³Π»ΡƒΠ±ΠΈΠ½Π΅. ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌ ΠΊΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΎΡ‚Π±ΠΎΡ€Π° являСтся содСрТаниС диоксида крСмния (SiO2), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 99%, Π° для элСктронного уровня β€” ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΊ 99.9%. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅ΡΠΈ оксидов ΠΆΠ΅Π»Π΅Π·Π°, Ρ‚ΠΈΡ‚Π°Π½Π° ΠΈΠ»ΠΈ алюминия Π½Π΅ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ дорогостоящСй Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ очистки.

ΠšΡ€ΡƒΠΏΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΡΡ‹Ρ€ΡŒΡ сосрСдоточСны Π² Ρ€Π΅Π³ΠΈΠΎΠ½Π°Ρ… с благоприятной гСологичСской структурой. Π’ России, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, основныС мСстороТдСния находятся Π½Π° Π£Ρ€Π°Π»Π΅ ΠΈ Π² Π‘ΠΈΠ±ΠΈΡ€ΠΈ, Π³Π΄Π΅ сосрСдоточСны ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ пласты чистого ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π°. Π’Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транспортировка ΡΡ‹Ρ€ΡŒΡ Π½Π° большиС расстояния экономичСски нСцСлСсообразна, поэтому Π·Π°Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ часто строят нСпосрСдствСнно Π²Π±Π»ΠΈΠ·ΠΈ ΠΊΠ°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ΠΎΠ².

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ мСста для Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΊΠ°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π° зависит Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΡ‚ химичСского состава, Π½ΠΎ ΠΈ ΠΎΡ‚ физичСских свойств ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ΄Ρ‹. ΠŸΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ структура кристаллов ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡ΠΈ ΠΈ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ извлСчСния. Иногда Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ высоком качСствС ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ΄Ρ‹, Ссли ΠΎΠ½Π° Π·Π°Π»Π΅Π³Π°Π΅Ρ‚ слишком Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½ΡƒΡŽ Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ½ΠΈΠΊΡƒ, Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° становится Π½Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ‚Π°Π±Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: НС всякий Π±Π΅Π»Ρ‹ΠΉ пСсок ΠΏΡ€ΠΈΠ³ΠΎΠ΄Π΅Π½ для производства крСмния. Π‘Π»ΠΈΠ·ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ окСаничСским ΠΏΠΎΠ±Π΅Ρ€Π΅ΠΆΡŒΡΠΌ часто ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ солСвых примСсСй, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠ°ΡŽΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ»Π°Π²ΠΊΠ΅. ВсСгда провСряйтС рССстр гСологичСских ΠΎΡ‚Ρ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠ² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎΠΌ поисков.

Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Π΄ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡ΠΈ ΠΈ обогащСния Ρ€ΡƒΠ΄Ρ‹

ПослС вскрытия мСстороТдСния начинаСтся слоТный процСсс извлСчСния ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ΄Ρ‹. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ тяТСлая горная Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ°: экскаваторы, самосвалы ΠΈ Π±ΡƒΡ€ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ установки. Π”ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» доставляСтся Π½Π° Π΄Ρ€ΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ-сортировочныС Π·Π°Π²ΠΎΠ΄Ρ‹, Π³Π΄Π΅ происходит пСрвичная ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ°. На этом этапС происходит Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ΄Ρ‹ Π½Π° Ρ„Ρ€Π°ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΈ ΡƒΠ΄Π°Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π³Ρ€ΡƒΠ±Ρ‹Ρ… примСсСй.

ΠžΠ±ΠΎΠ³Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ β€” это критичСский этап, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ чистоту Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°. ПСсок подвСргаСтся ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹Π²ΠΊΠ΅, ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ сСпарации ΠΈ Ρ„Π»ΠΎΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ. ΠœΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Π°Ρ сСпарация позволяСт ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΈΡ‚ΡŒ частицы ΠΆΠ΅Π»Π΅Π·Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΎΠΊΡ€Π°ΡΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ ΠΈΠ»ΠΈ ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ·Ρ€Π°Ρ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Ѐлотация ΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠ»ΡŽΠ΄Ρƒ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Π»Π΅Π³ΠΊΠΈΠ΅ ΠΌΠΈΠ½Π΅Ρ€Π°Π»Ρ‹ ΠΎΡ‚ тяТСлых частиц ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π°.

Π’Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π°ΠΆΠ΅ послС этих ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π΄ΡƒΡ€ ΡΡ‹Ρ€ΡŒΠ΅ Π½Π΅ являСтся химичСски чистым. Оно прСдставляСт собой тСхничСский диоксид крСмния, Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΊ ΠΏΠ»Π°Π²ΠΊΠ΅. Π”Π°Π»ΡŒΠ½Π΅ΠΉΡˆΠ°Ρ очистка происходит Π² элСктричСских ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ…, Π³Π΄Π΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° достигаСт ΡΠΊΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ процСсс называСтся восстановлСниСм ΠΈ являСтся основой мСталлургичСского производства крСмния.

  • 🏭 ИспользованиС гидравличСских Π΄Ρ€ΠΎΠ±ΠΈΠ»ΠΎΠΊ для ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π»ΡŒΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Ρ‹Ρ… кусков ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†ΠΈΡ‚Π°
  • 🧲 ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… сСпараторов для удалСния Ρ„Π΅Ρ€Ρ€ΠΎΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… примСсСй
  • πŸ’§ ΠœΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ΅Π½Ρ‡Π°Ρ‚Π°Ρ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹Π²ΠΊΠ° Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΉ для удалСния глинистых Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ
  • βš–οΈ Автоматизированный ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ качСства Π½Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ этапС обогащСния

ΠœΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΡƒΡ€Π³ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠ΅ производство: ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ тСхничСского крСмния

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ пСска ΠΊ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Ρƒ происходит Π² Π΄ΡƒΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… элСктропСчах ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ 10 Π΄ΠΎ 60 ΠœΠ’Ρ‚. ΠŸΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡ основан Π½Π° восстановлСнии диоксида крСмния ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. Π’ качСствС восстановитСлСй ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ кокс, ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ дрСвСсныС ΡƒΠ³Π»ΠΈ. РСакция ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ… Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 1800Β°C, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΊΠΎΠ»ΠΎΡΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π°Ρ‚Ρ€Π°Ρ‚ элСктроэнСргии.

Π’Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈ образуСтся расплавлСнный ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ стСкаСт Π½Π° Π΄Π½ΠΎ ΠΈ пСриодичСски выпускаСтся Π² ковши. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» называСтся мСталлургичСским ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅ΠΌ (MG-Si). Π•Π³ΠΎ чистота ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ составляСт 98-99%, Ρ‡Ρ‚ΠΎ достаточно для производства Π°Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… сплавов, силиконов ΠΈ Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΊΠΎΠ². Однако для элСктроники этого уровня нСдостаточно.

ΠšΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ состав ΡˆΠΈΡ…Ρ‚Ρ‹ ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Ρƒ Π³Π°Π·Π°. Π›ΡŽΠ±ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΎΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² пропорциях Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ сниТСнию Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π³ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π° ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΌΠΊΠ΅ элСктродов. Π’Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ этот этап являСтся самым энСргоСмким Π²ΠΎ всСм Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π΅ производства. Π‘Π΅Π· доступа ΠΊ Π΄Π΅ΡˆΠ΅Π²Ρ‹ΠΌ источникам элСктроэнСргии созданиС конкурСнтоспособного Π·Π°Π²ΠΎΠ΄Π° Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ.

πŸ“Š Какой Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ большС всСго влияСт Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ крСмния?
Π‘Ρ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ элСктроэнСргии
Чистота ΡΡ‹Ρ€ΡŒΡ
Логистика
ВСхнология ΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈ
⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΠ΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. Π‘ΠΊΠ°Ρ‡ΠΊΠΈ Π² сСти ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ привСсти ΠΊ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ Β«ΡˆΡƒΡ‚ΠΎΠ²ΡΠΊΠΈΡ…Β» Π·ΠΎΠ½ Π² кристаллС ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡŽ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… элСктродов, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Π»Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ простой производства.

ΠžΡ‡ΠΈΡΡ‚ΠΊΠ° Π΄ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ уровня: процСсс БимСнса

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ мСталлургичСский ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ Π² ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» для Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ², Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ чистоту Π΄ΠΎ 99.9999999% (9N). Для этого ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ процСсс БимСнса. Π‘Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° тСхничСский ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ Ρ€Π΅Π°Π³ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ с Ρ…Π»ΠΎΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, образуя ΠΆΠΈΠ΄ΠΊΠΈΠΉ трихлорсилан (SiHCl3). Π­Ρ‚ΠΎ соСдинСниС Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ подвСргаСтся многоступСнчатой дистилляции Π² ΠΊΠΎΠ»ΠΎΠ½Π½Π°Ρ…, Π³Π΄Π΅ ΡƒΠ΄Π°Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ всС примСси ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ² ΠΈ Π±ΠΎΡ€Π°.

ΠžΡ‡ΠΈΡ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ трихлорсилан подаСтся Π² Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹, Π³Π΄Π΅ Π½Π° раскалСнныС стСрТни ΠΈΠ· крСмния осаТдаСтся чистый ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ. ΠŸΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡ ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 1100Β°C Π² атмосфСрС Π²ΠΎΠ΄ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π°. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Π½Π° стСрТнях Π²Ρ‹Ρ€Π°ΡΡ‚Π°ΡŽΡ‚ стСрТни ΠΈΠ· поликристалличСского крСмния (ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ). Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· самых слоТных ΠΈ опасных процСссов Π² химичСской ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ.

Π’Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΎΡΠΎΠ·Π½Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π°ΠΆΠ΅ микроскопичСскиС частицы ΠΏΡ‹Π»ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΡ€Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ†Π΅Π»ΡƒΡŽ ΠΏΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΡŽ. Чистота производствСнных ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΉ контролируСтся Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ «чистых ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Β» класса 100. ВсС ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ сдСлано ΠΈΠ· ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², Π½Π΅ Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… примСсСй ΠΏΡ€ΠΈ высоких Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ…. Π­Ρ‚ΠΎ Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΡ‚ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ строгим трСбованиям микроэлСктроники.

β˜‘οΈ ΠŸΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΊΠ° ΠΊ процСссу БимСнса

Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΎ: 0 / 4
⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: ИспользованиС Π½Π΅ΠΎΡ‡ΠΈΡ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ хлористого Π²ΠΎΠ΄ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠΎΠ±ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… соСдинСний, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠ°ΡŽΡ‚ Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ. ВсСгда ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ сСртифицированныС Ρ€Π΅Π°Π³Π΅Π½Ρ‚Ρ‹.

Π’Ρ‹Ρ€Π°Ρ‰ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ монокристаллов: ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ Π§ΠΎΡ…Ρ€Π°Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π·ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Π²ΠΊΠΈ

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ поликристалличСский ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ плавится Π² Ρ‚ΠΈΠ³Π»Π΅, ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ вытягиваСтся монокристалл. Π‘Π°ΠΌΡ‹ΠΉ распространСнный ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ β€” ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ Π§ΠΎΡ…Ρ€Π°Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π·Π°Ρ‚Ρ€Π°Π²ΠΊΠ° опускаСтся Π² расплав ΠΈ ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎ поднимаСтся, Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°ΡΡΡŒ. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ формируСтся Ρ†ΠΈΠ»ΠΈΠ½Π΄Ρ€ (инго́т) с идСальной кристалличСской Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Ρ‚ΠΊΠΎΠΉ. Π”ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Ρ†ΠΈΠ»ΠΈΠ½Π΄Ρ€ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ 300 ΠΌΠΌ ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅.

Для получСния свСрхчистых ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ Π·ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Π²ΠΊΠΈ. РасплавляСтся лишь узкая Π·ΠΎΠ½Π° стСрТня, которая ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎ пСрСмСщаСтся ΠΎΡ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π° ΠΊ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌΡƒ. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅ΡΠΈ Β«Π·Π°Π³ΠΎΠ½ΡΡŽΡ‚ΡΡΒ» Π² ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ† стСрТня, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ отрСзаСтся ΠΈ утиилизируСтся. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ позволяСт Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ чистоты, нСдоступной для Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ.

Π’Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ вытягивания ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ строго Π²Ρ‹Π²Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ‹. МалСйшСС ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² кристалличСской Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Ρ‚ΠΊΠΈ. Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚Ρ‹ Π΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‚ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ Π½Π΅ΠΏΡ€ΠΈΠ³ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ для использования Π² ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторах ΠΈΠ»ΠΈ солнСчных элСмСнтах.

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅?|Π’ процСссС выращивания Π² расплав Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ строго Π΄ΠΎΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ количСства Π±ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ»ΠΈ фосфора. Π­Ρ‚ΠΎ мСняСт Ρ‚ΠΈΠΏ проводимости кристалла (p-Ρ‚ΠΈΠΏ ΠΈΠ»ΠΈ n-Ρ‚ΠΈΠΏ), создавая основу для p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ².-->

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² происходит Π² автоматичСском Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… систСм. ΠžΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ лишь отслСТиваСт Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ ΡΡ‹Ρ€ΡŒΠ΅. Π­Ρ‚ΠΎ обСспСчиваСт ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ качСства Π½Π° протяТСнии всСго Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π° производства.

Врансформация слитка Π² пластины ΠΈ Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ издСлия

ПослС выращивания кристалл охлаТдаСтся ΠΈ отрСзаСтся ΠΎΡ‚ Π·Π°Ρ‚Ρ€Π°Π²ΠΊΠΈ. Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ Π΅Π³ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π΅Π·Π°ΡŽΡ‚ Π΄ΠΎ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°, ΡˆΠ»ΠΈΡ„ΡƒΡŽΡ‚ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠ΅ диски β€” ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ пластины (Π²Π°Ρ„Π»ΠΈ). Π˜Ρ… ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ идСально Π³Π»Π°Π΄ΠΊΠΎΠΉ, Π±Π΅Π· Ρ†Π°Ρ€Π°ΠΏΠΈΠ½ ΠΈ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‰ΠΈΠ½.

Π”Π°Π»Π΅Π΅ пластины ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Ρ€Π³Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ, Ρ‚Ρ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈ нанСсСнию проводящих слоСв. На Π½ΠΈΡ… ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ микросхСмы, процСссоры ΠΈ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎ ΡƒΠΆΠ΅ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ микроэлСктроники, Π³Π΄Π΅ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ измСряСтся Π² Π½Π°Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°Ρ…. ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ этап Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ ΡΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ оборудования.

Для солнСчных ΠΏΠ°Π½Π΅Π»Π΅ΠΉ пластины рСТутся Π½Π° ячСйки ΠΈ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈ. Π—Π΄Π΅ΡΡŒ трСбования ΠΊ чистотС Ρ‡ΡƒΡ‚ΡŒ Π½ΠΈΠΆΠ΅, Π½ΠΎ мСханичСская ΠΏΡ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ листа ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ. Π―Ρ‡Π΅ΠΉΠΊΠΈ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π²Π΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠ°Π΄Ρ‹ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ дСсятилСтий.